인더뉴스 제해영 기자ㅣ태성 나노팹기술개발센터가 3.5F² 토토사이트 무료거부 Cell 기술 특허를 확보하며 한국 반도체 기술 자립의 기반을 마련했습니다.
태성환경연구소 나노팹기술개발센터(회장 윤기열, 대표이사 김석만: 이하 태성)는 지난 달 4일 발표한 3.5F² 토토사이트 무료거부 셀 기술에 대해 특허 등록에 성공했다고 19일 밝혔습니다.
3.5F² 토토사이트 무료거부 셀은 기존 6F² 토토사이트 무료거부 셀 대비 면적을 절반 수준으로 줄여, 높은 집적도를 가진 초고밀도 토토사이트 무료거부 셀로 주목받고 있습니다.
워드라인 2층 구조와 벌집 모양으로 배치된 수직형 필러 트랜지스터를 도입해 설계된 이 특허기술은 토토사이트 무료거부 셀의 성능과 효율을 극대화하면서도 면적 효율을 높인 것이 특징입니다.
예를 들어, 16Gb 토토사이트 무료거부 다이(약 40~50mm²)의 경우 기존 기술로는 웨이퍼당 약 1700개 수준의 다이를 생산할 수 있었으나, 3.5F² 토토사이트 무료거부 셀 기술을 적용하면 셀 효율이 같은 수준을 유지한다는 가정하에 웨이퍼당 3400개의 다이 생산이 가능해져 생산 효율성이 크게 향상됩니다.
임채록 태성 개발총괄이사는 ”발명 제목 ‘서브 4F² 구조의 디램 소자’로 특허 등록을 확정했다“며 ”이를 기반으로 한 토토사이트 무료거부 솔루션은 국내외 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 전망된다“고 말했습니다.
또한 ”토토사이트 무료거부 이 적층된 AI 분야에서 사용되는 HBM(High Bandwidth Memory)과 3D 토토사이트 무료거부 에도 3.5F² 토토사이트 무료거부 셀의 적용이 가능해 더욱 폭넓은 활용이 기대된다“고 덧붙였습니다.
한편 태성은 DRAM의 용량을 1Tb(1 Tera bit)까지 확장할 수 있는 새로운 DRAM 셀 구조를 연구하고 있으며, 3D DRAM 및 IRAM(Insulating-layer 토토사이트 무료거부)을 설계해 내년에 공개할 계획입니다.
윤기열 태성 회장은 ”중소기업이 주도적으로 독자적인 원천 기술을 확보해 글로벌 시장에서 경쟁력을 갖출 토토사이트 무료거부다는 가능성을 보여준 사례라는 점에서 의미가 크다“고 말했습니다.
또한 ”이번 성과는 단순한 토토사이트 무료거부을 넘어 한국 반도체 산업이 기술 자립을 통해 글로벌 패권 경쟁에서 앞서나갈 수 있는 기반이 될 것이다“고 말했습니다.
